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研究新闻

成功合成零磁化半金属

一个研究小组成功合成了一种“半金属”材料, 在追求零磁化的过程中实现了一项罕见的壮举.

半金属可以极大地提高电子设备的性能. 这是由于它们100%的自旋极化, 这使得它们在一个自旋方向上表现为金属, 另一个是绝缘体/半导体.

半金属最成功的例子是铁磁性的, 这意味着它们的自旋排列是对齐的.

类反铁磁性半金属, 自旋在哪里以反平行的性质排列, 是可取的,因为没有磁场杂散可以干扰它-即使在高密度集成.

铁磁中磁矩的自旋排列, 反铁磁性的, 还有铁磁性材料. ©Rie Umetsu

迄今为止,只有两种反铁磁性半金属被报道过.

遵循开发指南, 研究小组创造了一种由铁组成的化合物, 铬, 和硫. 这种新材料在低温下完全失去了磁化能力.

“开发的半金属材料具有优异的性能, 材料开发指南在AG8亚洲游戏集团的成功中发挥了关键作用,Satoshi Semboshi说, 论文合著者,AG8亚洲游戏集团材料研究所(IMR)教授.

一般铁磁体和半金属铁磁体的电子态和电荷流. ©Rie Umetsu

同事兼合著者Rie Umetsu补充道, “AG8亚洲游戏集团相信这些结果将提高未来材料研究的效率,加速电子设备的创新."

他们的研究细节发表在2022年6月23日的《新闻》杂志上.

(左)使用反铁磁类(全补偿铁磁)半金属(左)和传统TMR多层(右)的隧道磁阻(TMR)多层示意图. 在后者中, 几层, 包括铁磁层和反铁磁层, 钉铁磁层磁矩的方向. 用一层类似反铁磁性的半金属取代这几层, 实现了高特性、低漏磁场, 实现高密度. ©Rie Umetsu
出版的细节:

题目:一种新型半金属全补偿铁磁体
作者:年代. Semboshi R. Y. Umetsu Y. Kawahito & H. 雅佳
期刊:科学报告
DOI: 10.1038/s41598-022-14561-8

新闻稿(日文)

联系人:

Satoshi Semboshi
AG8亚洲游戏集团材料研究所
电子邮件:satoshi.semboshi.c8东北.ac.jp

Rie Umetsu
AG8亚洲游戏集团材料研究所
电子邮件:rie.umetsuimr.东北.ac.jp
网站: http://www.crdam.imr.quadrupleselling.com/en/index-en.html

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